製品詳細
起源の場所: ウーハン、中国
ブランド名: Corrtest
証明: CE, ISO9001
モデル番号: CS310X 4チャネル
支払いと送料の条件
最小注文数量: 1セット
価格: 交渉可能
パッケージの詳細: 標準ボックス
受渡し時間: 5〜10 営業日
支払条件: T/T、D/P
供給の能力: 1000Set/year
掲示板のチャンネル数: |
4 |
チャネル隔熱抵抗: |
>100MΩ |
コミュニケーション: |
イーサネット |
下を通り抜けるフィルター: |
8十年をカバーする |
潜在的な制御範囲: |
±10V |
常流制御範囲: |
±1A |
潜在的な精度: |
00.1%×全範囲±1mV |
現在の正確さ: |
00.1%×全範囲 |
掲示板のチャンネル数: |
4 |
チャネル隔熱抵抗: |
>100MΩ |
コミュニケーション: |
イーサネット |
下を通り抜けるフィルター: |
8十年をカバーする |
潜在的な制御範囲: |
±10V |
常流制御範囲: |
±1A |
潜在的な精度: |
00.1%×全範囲±1mV |
現在の正確さ: |
00.1%×全範囲 |
コルテスト1A 10V 多チャンネルポテンチスタット CS310X 4チャンネル 1 eis多チャンネルポテンチオスタット/ガルバノスタットモデルCS310X (オプションA: 4チャンネル1 eis) は4チャンネルポテンチオスタットである. 4つのスロットにはポテンチオスタットボードが配置されている.未来にポテンシオスタットチャンネルを追加するために空いている. 1A 10V 多チャンネルポテンチスタット CS310X 4チャンネル 1 eis は,1つのシャーシに統合された4つの独立したポテンチスタット/ガルバノスタットセットを持っていることと同じです.単チャンネルポテンチオスタット/ガルバノスタットの4セットと比較してEIS (10μHz~1MHz) は1つのチャンネルにのみ含まれています.各チャンネルの電位制御範囲は±10V,電流制御範囲は±1Aです.完全な浮遊モジュールと電気隔離設計は,各チャネルが完全に独立した保証精密なデータと効率的な同時測定を保証します.多チャンネルポテンチオスタットCS310X 4チャンネル 1 eisは,特にテストするためにさまざまなサンプルを持っているとき,あなたのテストをより効率的にします4つのチャンネルを制御するために 1台のコンピュータを使用できますし,複数のコンピュータでチャンネルを割り当て,制御することもできます.
多チャンネルポテンチオスタット CS310X 4チャンネル 1 eis の利点
高電流/電圧: 適用される電力の範囲 ±10V,電流 ±1A. ほとんどの研究のニーズを満たすことができます.包括的な技術:各チャネルには包括的な技術があります.内蔵EIS (10μHz~1MHz) は 1 つのチャンネルのみで装備されています
保証: 5 年間の保証. 私たちは製造業者であり,私たちのエンジニアはいつでも必要に応じて技術的サポートを提供します.低コスト:多チャンネルポテンチオスタットCS310X 4チャンネル1 eisの価格には機器ホストが含まれますソフトウェア (実験制御とデータ処理),必要なケーブル,偽電池.他の料金は不要です.
多チャンネルポテンチオスタットCS310X 4チャンネル 1 eis の適用
● エネルギー 材料 (リチウムイオン 電池,太陽電池,燃料電池,超強電容器),先進的な機能材料の研究
● 電気触媒 (HER,OER,ORR,CO2RR,NRR)
● 金属 の 腐食 耐性 研究 と 評価 腐食 抑制 剤,塗装 剤,カソド 防護 効果 の 迅速 な 評価
● 電気合成,電圧塗装/電波配置,アンード酸化,電解
1A 10V 多チャンネル電位器 CS310X 4チャンネル 1 eis の仕様
| 仕様 | |
| パネル付きチャンネル数: 4 | チャネル隔離抵抗: >100MΩ |
| 通信:イーサネット | 下を通過フィルター: 8 十年をカバーする |
| 制御範囲: ±10V | 常流制御範囲: ±1A |
| 潜在的な精度:0.1%×全範囲±1mV | 電流精度: 0.1%×全範囲 |
| 容量解像:10μV (<100Hz),3μV (<10Hz) | 電流解像度: 1pA |
| 潜在的な上昇時間: <1μs (<10mA), <10μs (<2A) | 電流範囲: 2nA ~ 1A, 10 つの範囲 |
| 基準電極の入力インピーデンス:101220pFを押さえて | 最大出力電流:1A |
| 合致電圧: ±21V | スキャン中の電流増幅:1mA @1A/ms |
| CVとLSVスキャン速さ:0.001mV~10000V/s | スキャン中の潜在的な増幅:0.076mV@1V/ms |
| CAとCCパルス幅: 0.0001~65000s | DPVとNPVパルス幅: 0.0001~1000s |
| SWV周波数:0.001~100KHz | CV 最低電圧増強:0.075mV |
| ADデータ取得:16bit@1MHz,20bit @1kHz | IMP周波数:10μHz~1MHz |
| DA解像度:16ビット 設定時間:1μs | 電流と電源範囲:自動 |
|
オペレーティング システム 要求: Windows 10 / 11 について |
体重: 12.5 kg サイズ: 40*40*14cm |
| 電気化学阻害スペクトロスコピー (EIS) | |
| シグナル発電機 | |
| 周波数範囲: 10μHz~1MHz | AC信号幅:1mV~2500mV |
| 周波数精度:0.005% | 信号解像度:0.1mV RMS |
| DDS出力インペダンス: 50Ω | DCバイアス: -10V~+10V |
| 波の歪み: <1% | 波形:シナス波,三角波,四角波 |
| スキャンモード: ロガリズム/線形,増加/減少 | |
| シグナル分析機 | |
| 最大積分時間:106サイクルは105s | 測定遅延:105s |
| 最小積分時間:10ms またはサイクル最長時間 | |
| DCオフセット補償 | |
| 潜在的な補償範囲: -10V~+10V | 電流補償範囲: -1A~+1A |
| 帯域幅調整:自動と手動, 8 十年周波数範囲 | |
テクニック - 多チャンネルポテンチオスタット CS310X 4チャンネル 1 eis
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安定している 偏振 |
オープン・サーキット・ポテンシャル (OCP) |
| パトントステティック (i-t曲線) | |
| ガルバノスタティック (E-t曲線) | |
| 潜在力学 (タベル) | |
| ガルバノダイナミック | |
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臨時的な 偏振 |
複数 の 可能性 の ステップ |
| 多電流のステップ | |
| 可能性のある階段ステップ (VSTEP) | |
| 熱電梯ステップ (ISTEP) | |
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クロノ 方法 |
クロノポテンチオメトリ (CP) |
| クロノアンペロメトリ (CA) | |
| クロノコロメトリ (CC) | |
| ウォルタメトリー | 循環電圧測定 (CV) |
| 線形スウィープヴォルタメトリー (LSV) (I-V曲線) | |
| 階段電圧測定 (SCV) # | |
| 平方波電圧測定 (SWV) # | |
| 微分パルスボルトメトリ (DPV) # | |
| 通常パルス電圧測定 (NPV) # | |
| 微分正規パルス電圧測定 (DNPV) # | |
| AC電圧測定 (ACV) # | |
| 2nd ハーモニック AC ヴォルタメトリー (SHACV) | |
| アムペロメトリ | 微分パルスアンペロメトリ (DPA) |
| 二重差パルスアンペロメトリ (DDPA) | |
| トリプルパルスアンペロメトリ (TPA) | |
| 統合パルスアンペロメトリック検出器 (IPAD) | |
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EISについて /インペデンス |
潜在静止性EIS (ニクスト,ボード) |
| 熱静脈系EIS | |
| 潜在静止EIS (任意の周波数) | |
| 電磁静止EIS (任意の周波数) | |
| モット・ショットキー | |
| パトント静止EIS対時間 (単周波数) | |
| 熱静電EIS対時間 (単周波数) | |
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腐食 測定 |
循環偏振曲線 (CPP) |
| 潜在力学 (タベル) | |
| 線形偏振曲線 (LPR) | |
| 電気化学的ポテンチオキネティック再活性化 | |
| 電気化学騒音 (ECN) | |
| ゼロ抵抗アンメーター (ZRA) | |
| バッテリー試験 | バッテリー充電と放電 |
| ガルバノスタティック充電と放電 (GCD) | |
| 潜在静止充電と放電 (PCD) | |
| 潜在静脈間隔定位技術 (PITT) | |
| ガルバノスタティック間隔タイトレーション技術 (GITT) |
同期測定
各チャネルはセットのポテンチオスタット/ガルバノスタットです. つまり,複数のサンプルがある場合,各サンプルを各チャネルに接続できます.テストを並行して行う.
同じパラメータを設定します. この実験は,すべてのチャネルに同じ実験を実行できます.
実験を1回ずつ実行します. 単一のテストに多くのサンプルがある場合,特に便利です.
各チャネルに異なる技術を選択することができます. 各チャネルにパラメータを設定します.
実験を1つずつ実行し,それぞれの実験を独立して実行します.右図のように,EIS,ガルバノスタティック充電と放電,サイクル電圧測定,偏振曲線テストがテストされます.
コルテスト 1A 10V 多チャンネルポテンチオスタット CS310X 4チャンネル 1 eis の利点
完全に浮いている
1A 10V 多チャネルポテンチオスタット CS310X 4チャネル 1 eis を含むすべての Corrtest ポテンチオスタット/ガルバノスタットは,完全に浮いているように設計されています.そして,地球に接続する作業電極の電気化学研究に使用することができます橋,コンクリートの金属部品など
リアルタイムデータ保存
実験データはリアルタイムに保存できます. テストが停電した場合でも,データは自動的に保存されます. Excel,Origin,直接開ける.
EISについて
● Corrtest 1A 10V 多チャネルポテンチオスタット CS310X 4チャネル 1 eis は,相関積分アルゴリズムと二チャネルオーバーサンプリング技術を使用し,強力な反干渉能力を備えています.器具の内部抵抗は最大10です13高阻力システムのEIS測定に適しています (コーティング,コンクリートなど)
● 常流キャリアとDCバイアス技術により,Corrtestポテンチオスタットは電池の電荷と放電状態での電池阻抗測定に使用できます.超低抵抗システム (例えば18650電池) に適していますソフトパックバッテリー,バッテリーコア...)
多電極システム
● サポート 2-, 3-, 4-電極システム,電池の内部抵抗をテストするために使用することができますまたは4-電極薄膜阻抗測定
● ガルバン電流の測定用のゼロ抵抗アンプメーター
ソフトウェア開発キット (SDK)
C#,VCなどのプログラムでデータコールを実現できます. ソフトウェア開発は,中次開発と試験方法のカスタマイズのために便利です.
高電流 オプション
●CS2020B/CS2040Bブースターにより,マルチチャネルポテンチオスタットCS310Xの電流を20A/40Aに増加させることができ,燃料電池,電源電池,電圧塗装などの要件を満たします.
汎用的なデータ分析
CS Studioは,実験制御とデータ分析のためのCS310X 4チャネル 1 eis の多チャンネルポテンチオスタットを含む Corrtest ポテンチオスタットのソフトウェアです.派生電気回路の調整やインピーダンスのスペクトルフィッティングなど
● 多パラメータ 偏振曲線
● EIS 装置
● 電気化学 騒音 分析
● 偽容量 計算
● GCD 固有容量,効率
● モット・ショットキー グラフ 分析
● 履歴書 の 分析
組み合わせ試験
柔軟性や効率性を向上させるため,様々な実験の組み合わせテストをサポートします.
各実験のパラメータを事前に設定し 実験間の間隔,待ち時間なども設定できます
組み合わせ試験:腐食試験
組み合わせ試験:偽コンデンサータ試験
Q: 多チャンネルポテンチオスタット CS310X 4チャンネル 1 eis の標準供給量は?
A: 多チャンネルポテンチスタット CS310X 4チャンネル 1 eis の標準供給源:
機器ホスト CS310X-1セット
CS スタジオ テスト&分析 ソフトウェア-1セット
電源ケーブル - 1本
イーサネットケーブル - 1本
携帯電話ケーブル 8個
偽機 ¥4
マヌア
A: 通常,私たちは2週間以内に多チャンネルポテンチオスタットCS310Xを配達します.商品はDHL,FedExなどのエキスプレスで配達されます.
販売後サービス (すべてのサービス,修理は完全に無料)
保証期間: 5年
インストールガイド,マニュアル,ソフトウェアのインストールビデオとトレーニングビデオを提供します.
無料の修理サービス
ソフトウェアのアップグレードと技術的なサービス
Q: 測定前に多チャンネルポテンチオスタットCS310Xの校正を行うべきですか?
A:出荷前に,多チャネルポテンチオスタットCS310Xは,エンジニアによってすでにテストされ,校正されていますので,顧客は校正する必要はありません.彼らは直接ポテンチオスタットを使用することができます.パンチスタットがうまく機能しているかどうかを判断するために.
A: そうです.オンラインでできます. EISモジュールを購入する必要があります.より多くのチャンネルが必要な場合は,ポテンチオスタットボードをあなたに配達し,それをインストールすることができます.
A: はい.私たちはあなたのインストールのためのソフトウェアパックを送信することができます. そして,CORRTEST多チャンネルポテンチオスタットCS310Xを接続せずにデモモードを使用するための手順に従ってください.ソフトウェアのレイアウトを見ることができます.
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