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Wuhan Corrtest Instruments Corp., Ltd.
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耐腐食試験用ポテンチダイナミックポテンチスタット ガルバノスタット CS350M

製品詳細

起源の場所: ウーハン、中国

ブランド名: Corrtest

証明: CE, ISO9001

モデル番号: CS350M

支払いと送料の条件

最小注文数量: 1セット

価格: 交渉可能

パッケージの詳細: 標準ボックス

受渡し時間: 5〜10 営業日

支払条件: T/T、D/P

供給の能力: 1000Set/year

お問い合わせ
ハイライト:

潜在力学 潜在力学 ガルバノスタット

,

腐食試験 パテンチオスタット ガルバノスタット

,

容量測定器 ガルバノスタット CS350M

組み込み EIS/FRA,EIS 周波数範囲:
10μHz~1MHz
電流制御範囲:
±2A
潜在的な制御範囲:
±10V
合致電圧:
±21V
解決の可能性:
10μV
現在の決断:
1Pa
名前:
容量測定器 ガルバノスタット
組み込み EIS/FRA,EIS 周波数範囲:
10μHz~1MHz
電流制御範囲:
±2A
潜在的な制御範囲:
±10V
合致電圧:
±21V
解決の可能性:
10μV
現在の決断:
1Pa
名前:
容量測定器 ガルバノスタット
耐腐食試験用ポテンチダイナミックポテンチスタット ガルバノスタット CS350M

腐食試験 潜在動力学 偏振 潜在性 ギャルバノスタット CS350M

 

耐腐食試験 パトנציオダイナミック パトנציオスタット ガルバノスタット CS350MDDS任意の関数発電機,高功率ポテンチオスタット,ガルバノスタット,二チャネル相関分析装置で構成される.双チャンネル高速16ビット/高精度24ビットAD変換器と拡張インターフェース最大電流は±2A,潜在的な範囲は±10V. EIS周波数範囲は10uHz~1MHzである. 腐食試験,エネルギー,材料,電解などの様々な電気化学分野に使用することができる.腐食試験 潜在力学 潜在力スタ バルバノスタ CS350Mは,腐食試験に一般的に用いられるすべての技術を含む.線形偏振曲線 (LPR),周期性偏振曲線 (CPP),電気化学的電位動学再活性化 (EPR),) 電気化学騒音 (ECN)コルテスト社はコルテスト地域から生まれ,

 

耐腐食試験用ポテンチダイナミックポテンチスタット ガルバノスタット CS350M 0

 

何が問題なのか潜在動力学偏振?

ポテンチダイナミクス (偏振曲線) 試験は,対応する電流密度を測定しながら,作業電極の電力をスキャンする電気化学技術である.電気化学の最も利用されている方法である.この試験では,標本は通常,溶液に1cm2の露出で樹脂に包み込まれ,腐食率はポテンチダイナミック (偏振曲線) で測定されます.パトנציダイナミック (偏振曲線) は,各測定点の電流密度 (I) (またはログ I) の関数としてポテンシャルをプロットすることによって得られる.潜在動力学偏振曲線は,任意の条件 (タフェルの傾斜) で金属の腐食可能性と速度を計算するために使用できます.

 

申請腐食試験する電位力学電位器 ガルバノスタット CS350M

● 金属 の 腐食 耐性 研究 と 評価 腐食 抑制 剤,塗装 剤,カソド 防護 効果 の 迅速 な 評価

● エネルギー 材料 (リチウムイオン 電池,太陽電池,燃料電池,超強電容器),先進的な機能材料の研究

● 電気触媒 (HER,OER,ORR,CO2RR,NRR)

● 電気合成,電圧塗装/電波配置,アンード酸化,電解

 

硬貨の腐食の主要な特徴試験する電位力学電位器 ガルバノスタット CS350M

- 組み込み EIS/FRA,EIS 周波数範囲: 10μHz~1MHz

- 高帯域幅と高インプットインピーダンスのアンプ

- FPGA DDS信号シンセサイザー

- 高功率ポテンチオスタット/ガルバノスタット/ZRA
- 電流制御範囲: ±2A

制御範囲: ±10V

- コンプライアンス電圧: ±21V
- 容量解像度: 10μV

- 現在の解像度 1pA

 

標準供給腐食試験する電位力学電位器 ガルバノスタット CS350M

容量スタッド ギャルバノスタッド CS350MCS350M*1

CSスタジオソフトウェア *1

電源ケーブル x1

USBケーブル x1

セル/電極ケーブル x2

偽のセル (x1)

手帳

腐食の適用試験する電位力学電位器 ガルバノスタット CS350M

腐食:腐食テストポテンチオダイナミックポテンチオスタット ガルバノスタット CS350Mは,OCP,偏振曲線 (ポテンチオダイナミック),EISなどの腐食測定のためのすべての電気化学技術を含みます.循環偏振 CPP (消化曲線)電気化学ポテンチオキネティック再活性化 (EPR),水素拡散試験,ZRA,電気化学騒音など.金属の腐食機構と腐食耐性を研究するために使用できます.コーティング耐久性と犠牲のアノード電流効率を評価腐食阻害剤,真菌剤などの迅速なスクリーニングにも使用できます.

耐腐食試験用ポテンチダイナミックポテンチスタット ガルバノスタット CS350M 1耐腐食試験用ポテンチダイナミックポテンチスタット ガルバノスタット CS350M 2

左: 3% NaCl 溶液における Ti 合金とステンレス鋼の偏振曲線

右:低炭素鋼のEN 0.05mol/LCl+0.1mol/LNaHCO3

耐腐食試験用ポテンチダイナミックポテンチスタット ガルバノスタット CS350M 3

腐食試験 潜在力学潜在力スタット ギャルバノスタット CS350Mは,相関積分アルゴリズムと二チャネル過剰採取技術を使用し,強力な反干渉能力を有します.器具の内部抵抗は最大10です13高阻力システムのEIS測定に適しています (コーティング,コンクリートなど)

 

高インピーダンスのコーティングの塩噴霧老化試験

 

A についてデメリット

完全に浮いている

腐食試験を含むすべてのCORTESTポテンチスタット/ガルバノスタットは,完全に浮いているように設計されています.そして,地球に接続する作業電極の電気化学研究に使用することができます橋,コンクリートの金属部品など

リアルタイムデータ保存

実験データはリアルタイムに保存できます 試験が停電した場合でも データは自動的に保存されます

EISについて

● Corrtest 腐食試験 ポテンチオダイナミックポテンチオスタット ガルバノスタット CS350M は,相関積分アルゴリズムと二チャネル過剰サンプリング技術を使用し,強力な反干渉能力を備えています.器具の内部抵抗は最大10です13高阻力システムのEIS測定に適しています (コーティング,コンクリートなど)

多電極システム

● 腐食試験 潜在力学 潜在力 スタット ギャルバノスタット CS350M は2,3,4電極システムをサポートし,電池内抵抗または4電極薄膜阻力測定をテストするために使用できます

● ガルバン電流の測定用のゼロ抵抗アンプメーター

ソフトウェア開発キット (SDK)

C#,VCなどのプログラムでデータコールを実現できます. ソフトウェア開発は,中次開発と試験方法のカスタマイズのために便利です.

汎用的なデータ分析

CS Studioは,実験制御とデータ分析のための腐食テストのソフトウェアである. 複数のパラメータタフェル曲線フィッティング,導出,ヴォルタメトリック曲線の統合とピーク高度分析EIS 相当回路のカスタマイズとインピーダンスのスペクトルフィッティングなど

● 多パラメータ 偏振曲線

● EIS 装置

● 電気化学 騒音 分析

● 偽容量 計算

● GCD 固有容量,効率

● モット・ショットキー グラフ 分析

● 履歴書 の 分析

 

組み合わせ試験

柔軟性や効率性を向上させるため,様々な実験の組み合わせテストをサポートします.

各実験のパラメータを事前に設定し 実験間の間隔,待ち時間なども設定できます

耐腐食試験用ポテンチダイナミックポテンチスタット ガルバノスタット CS350M 4

組み合わせ試験:腐食試験

 

ソフトウェア 腐食特性試験する電位力学電位器 ガルバノスタット CS350M

タフェルのプロットと腐食税率CSスタジオは,偏振曲線のバトラー-ヴォルマー方程式の強力な非線形フィッティングも提供しています. それはタフェルの傾斜,腐食電流密度,制限電流,偏光抵抗また,ECN測定に基づいて電源スペクトル密度,ノイズ抵抗,ノイズスペクトル抵抗を計算できます.

耐腐食試験用ポテンチダイナミックポテンチスタット ガルバノスタット CS350M 5

EIS 分析:ボード,ナイクスト,モット・ショットキー

EISデータ分析中に,カスタム同等回路を描くための組み込みフィッティング機能があります.

耐腐食試験用ポテンチダイナミックポテンチスタット ガルバノスタット CS350M 6

 

腐食の技術試験する電位力学電位器 ガルバノスタット CS350M

安定した偏振

  • オープン・サーキット・ポテンシャル (OCP)
  • パトントステティック (I-T曲線)
  • ガルバノスタティック
  • 潜在動力学 (タベルグラフ)
  • ガルバノダイナミック (DGP)

腐食測定

  • 循環偏振曲線 (CPP)
  • 線形偏振曲線 (LPR)
  • 電気化学的ポテンチオキネティック再活性化 (EPR)
  • 電気化学騒音 (EN)
  • ゼロ抵抗アンメーター (ZRA)

電気化学阻害スペクトルsコピー (EISについて)

  • 潜在静止性EIS (ニクスト,ボード)
  • 熱静止性 EIS
  • 潜在静止EIS (任意の周波数)
  • 電磁静止EIS (任意の周波数)
  • モット・ショットキー
  • パトント静止EIS対時間 (単周波数)
  • 熱静電EIS対時間 (単周波数)

臨時極化

  • 複数の 可能性 の ステップ
  • 多電流ステップ
  • 可能性のある階段ステップ (VSTEP)
  • 熱電梯ステップ (ISTEP)

クロノ 方法

  • クロノポテンチオメトリ (CP)
  • クロノアンペラメトリ (CA)
  • クロノカウルメトリ (CC)

ウォルタメトリー

  • 線形スウィープヴォルタメトリー (LSV)
  • 循環電圧測定 (CV)
  • 階段電圧測定 (SCV) #
  • 平方波電圧測定 (SWV) #
  • 微分パルスボルトメトリ (DPV) #
  • 正常パルス電圧測定 (NPV) #
  • 標準パルスボルトメトリ (DNPV) #
  • AC電圧測定 (ACV)
  • 2ほらハーモニックAC電圧測定 (SHACV)
  • フーリア変換交流電圧測定 (FTACV)

バッテリー試験

  • バッテリーの充電と放電
  • ガルバノスタティック充電と放電 (GCD)
  • 潜在静止充電と放電 (PCD)
  • 潜在静脈間隔定位技術 (PITT)
  • ガルバノスタティック・インターミッテント・タイトレーション技術 (GITT)

アムペロメトリック

  • 微分パルスアンペロメトリ (DPA)
  • 二重差パルスアンペロメトリ (DDPA)
  • トリプルパルスアンペロメトリ (TPA)
  • 統合パルスアンペロメトリック検出器 (IPAD)

E についてxte異議

  • 電気化学の剥離/堆積
  • コールメトリ (BE) での大量電解
  • Rs 測定

# 対応する脱毛方法があります.