製品詳細
起源の場所: ウーハン、中国
ブランド名: Corrtest
証明: CE, ISO9001
モデル番号: 単一チャネル
支払いと送料の条件
最小注文数量: 1セット
価格: 交渉可能
パッケージの詳細: 標準ボックス
受渡し時間: 5〜10 営業日
支払条件: T/T、D/P
供給の能力: 1000Set/year
名前: |
シングルチャネルポテンチスタット |
潜在的な制御範囲: |
±10V |
電流制御範囲: |
±2A |
潜在的な制御精度: |
00.1%×全範囲±1mV |
電流制御の精度: |
00.1%×全範囲 |
解決の可能性: |
10μV (>100Hz),3μV (<10Hz) |
電流感度: |
1Pa |
昇る時間: |
<1μS (<10mA), <10μS (<2A) |
参照電極の入力インペダンス: |
1012Ω オーブン オーブン |
電流範囲: |
2nA~2A,10の範囲 |
合致電圧: |
±21V |
名前: |
シングルチャネルポテンチスタット |
潜在的な制御範囲: |
±10V |
電流制御範囲: |
±2A |
潜在的な制御精度: |
00.1%×全範囲±1mV |
電流制御の精度: |
00.1%×全範囲 |
解決の可能性: |
10μV (>100Hz),3μV (<10Hz) |
電流感度: |
1Pa |
昇る時間: |
<1μS (<10mA), <10μS (<2A) |
参照電極の入力インペダンス: |
1012Ω オーブン オーブン |
電流範囲: |
2nA~2A,10の範囲 |
合致電圧: |
±21V |
シングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタット
シングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタットDDS任意の関数発電機,高功率ポテンチオスタット/ガルバノスタット,二チャネル相関分析器から構成される.双チャンネル高速16ビット/高精度24ビットAD変換器と拡張インターフェース最大電流は±2A,潜在電波は±10V. EIS周波数帯は10uHz~1MHzである.シングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタット腐食,エネルギー,材料,電解などの様々な電気化学分野で使用できます.電流は,電流が動いているときに20A/40Aまで増加できます.シングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタット接続されているCS2020B/CS2040Bの電流ブースターで,単チャンネルポテンショスタットガルバノスタットには3つのモデルがあります. CS350MはEISを持つ最も先進的な単チャンネルポテンショスタットガルバノスタットです.モデルCS310MもEISを含んでいるが,電圧測定技術が少ないモデルCS300MはEISなしのエントリーシングルチャネルポテンチオスタットガルバノスタットモデルです.
適用するシングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタット
C についてあるいはローション:コルテストシングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタットOCP,偏振曲線 (ポテンチダイナミック),EIS,循環偏振 CPP (消化曲線) などの腐食測定のためのすべての電気化学技術を含む.電気化学的ポテンチオキネティック再活性化 (EPR)電気化学騒音など 金属の腐食機構と腐食耐性を研究するために使用できますコーティング耐久性と犠牲のアノード電流効率を評価腐食阻害剤,真菌剤などの迅速なスクリーニングにも使用できます.
左:3%NaCl溶液中のTi合金&不酸化鋼の偏振曲線 右:0.05mol/LCl+0.1mol/LNaHCO3の低炭素鋼のEN
シングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタット関連積分アルゴリズムと二チャネル過剰サンプリング技術を使用し,強力な反干渉能力を有します.13高阻力システムのEIS測定に適しています (コーティング,コンクリートなど)
高インピーダンスのコーティングの塩噴霧老化試験
E について緊張する
LSV,CV,ガルバノスタティック充電と放電 (GCD),コンスタント・ポテンシャル/電流EIS,正確なIR補償回路の技術で,シングルチャネルポテンチスタットsガルバノスタットsスーパーコンデンサター,リチウムイオン電池,ナトリウムイオン電池,燃料電池,リチウムS電池,太陽電池,固体電池,流量電池,金属空気電池などに広く使用されています.エネルギーと材料の研究者にとって優れた科学ツールです.
溶液0.5mol/L H2SO4 の PPy スーパーコンデンサの CV 曲線
電気分析
コルテストシングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタットNPV,DNPV,SWV,ACVなどのすべての電圧測定方法を含み,溶液中の微量元素の迅速な分析に使用できます.量的な分析は,剥離ピークの電流に従って行うことができます.
異なるPb2+,Cd2+,Zn2+濃度の溶液で電圧線形曲線を剥離する
電気触媒
● コルテストシングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタット
触媒の半波電位 (ORR),超電位 (HER,OER) を測定できる.そしてピーク電源密度とエネルギー密度計算の機能がある.
● ORR,OER,HERの長期周期測定
循環電圧測定などの技術によるCO2RR
ファラデー効率は
バイポテンチオスタットで測定されます.
アルカリ溶液中の催化剤のLSV曲線
●最大電流は20A /40Aであり,コンプライアンス電圧は30Vであり,IR補償技術により,
コートテストポテンチオスタットは電極のオーバーポテンチオルを正確に測定することができ,これは電触媒分野において大きな利点です.
| 仕様についてシングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタット | |
| サポート・2,3または4電極システム | 電源と電流の範囲: 自動 |
| 制御範囲: ±10V | 電流制御範囲: ±2A |
| 制御精度: 0.1%×全範囲±1mV | 電流制御精度:0.1%×全範囲 |
| 容量解像度: 10μV (>100Hz),3μV (<10Hz) | 電流感度:1pA |
| 上昇時間: <1μs (<10mA), <10μs (<2A) | 基準電極の入力インペダンス:101220pFを押さえて |
| 電流範囲: 2nA~2A, 10 つの範囲 | 合致電圧: ±21V |
| 最大出力電流: 2A | CVとLSVスキャン速さ:0.001mV~10,000V/s |
| CAとCCパルス幅: 0.0001~65,000s | スキャン中の電流増加: 1mA@1A/ms |
| スキャン中の潜在的な増幅:0.076mV@1V/ms | SWV周波数: 0.001~100 kHz |
| DPVとNPVパルス幅: 0.0001~1000s | ADデータ取得:16bit@1MHz,20bit@1kHz |
| DA 解像度:16ビット 設定時間:1μs | 最低電圧増強:0.075mV |
| IMP周波数: 10μHz~1MHz | 低通行フィルター: 8 十年 |
| オペレーティング システム: Windows 10/11 | インターフェース:USB20 |
| 体重/寸法: 6.5kg, 36.5 x 30.5 x 16cm | |
| EIS (電気化学阻害スペクトロスコピー) | |
| シグナル発電機 | |
| 周波数範囲:10μHz~1MHz | AC振幅:1mV~2500mV |
| DCバイアス: -10~+10V | 出力インペダンス: 50Ω |
| 波形:シナス波,三角波,四角波 | 波の歪み: <1% |
| スキャニングモード:ロガリズム/線形,増減 | |
| シグナル分析機 | |
| インテグラル時間:最低:10ms またはサイクル最長時間 | 最大:106サイクルは105s |
| 測定遅延: 0~105s | |
| DCオフセット補償 | |
| 潜在的自動補償範囲: -10V~+10V | 電流補償範囲: -1A~+1A |
| 帯域幅: 8 10 年の周波数範囲,自動と手動設定 | |
シングルチャネル・ポテンチオスタット・ガルバノスタットの技術
| シングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタットモデル |
C についてS300M NO EIS について |
C についてS310M WITH EISについて |
C についてS350M WITH EISについて |
|
| 安定している 偏振 |
オープン・サーキット・ポテンシャル (OCP) | √ | √ | √ |
| パトントステティック (i-t曲線) | √ | √ | √ | |
| ガルバノスタティック | √ | √ | √ | |
| 潜在力学 (表図) | √ | √ | √ | |
| ガルバノダイナミック | √ | √ | √ | |
| 臨時偏振 | 多種 の 可能性 の ステップ | √ | √ | √ |
| 多電流のステップ | √ | √ | √ | |
| 可能性のある階段ステップ (VSTEP) | √ | √ | √ | |
| 熱電梯ステップ (ISTEP) | √ | √ | √ | |
| クロノ 方法 |
クロノポテンチオメトリ (CP) | √ | √ | √ |
| クロノアンペロメトリ (CA) | √ | √ | √ | |
| クロノコロメトリ (CC) | √ | √ | √ | |
| ウォルタメトリー | 循環電圧測定 (CV) | √ | √ | √ |
| 線形スウィープヴォルトメトリ (LSV) (i-v) | √ | √ | √ | |
| 階段電圧測定 (SCV) # | √ | √ | ||
| 平方波電圧測定 (SWV) # | √ | √ | ||
| 微分パルスボルトメトリ (DPV) # | √ | √ | ||
| 通常パルス電圧測定 (NPV) # | √ | √ | ||
| 微分正規パルス電圧測定 (DNPV) # | √ | √ | ||
| AC電圧測定 (ACV) # | √ | √ | ||
| EISについて | 潜在静止性EIS (ニクスト,ボード) | √ | √ | |
| 熱静止性 EIS | √ | √ | ||
| 潜在静止EIS (任意の周波数) | √ | √ | ||
| 電磁静止EIS (任意の周波数) | √ | √ | ||
| モット・ショットキー | √ | √ | ||
| パトント静止EIS対時間 (単周波数) | √ | √ | ||
| 熱静電EIS対時間 (単周波数) | √ | √ | ||
| 腐食 測定 |
循環偏振曲線 (CPP) | √ | √ | √ |
| 線形偏振曲線 (LPR) | √ | √ | √ | |
| 電気化学的ポテンチオキネティック再活性化 (EPR) | √ | √ | √ | |
| 電気化学騒音 (EN) | √ | √ | √ | |
| ゼロ抵抗アンメーター (ZRA) | √ | √ | √ | |
| バッテリー試験 | バッテリーの充電と放電 | √ | √ | √ |
| ガルバノスタティック充電と放電 (GCD) | √ | √ | √ | |
| 潜在静止充電と放電 (PCD) | √ | √ | √ | |
| 潜在静脈間隔定位技術 (PITT) | √ | √ | √ | |
| ガルバノスタティック間隔タイトレーション技術 (GITT) | √ | √ | √ | |
| アムペロメトリ | 微分パルスアンペロメトリ (DPA) | √ | √ | |
| 二重差パルスアンペロメトリ (DDPA) | √ | √ | ||
| トリプルパルスアンペロメトリ (TPA) | √ | √ | ||
| 統合パルスアンペロメトリック検出器 (IPAD) | √ | √ | ||
Q: Corrtest を接続せずにソフトウェアをインストールして表示できますか?シングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタット購入 する 前 に
A: 販売前のコミュニケーションでは,購入する前に CSスタジオのソフトウェアを見たい顧客がいます. インストールのためのソフトウェアパックを送信することができます.そして,接続なしでデモモードを使用するための手順に従ってください.シングルチャネルポテンチオスタット ガルバノスタット.
偽のセルを1個提供します.sインゲルチャネルポテンシオスタット ガルバノスタット試作細胞は標準的なシミュレーション細胞です.可能性と電流の値をチェックするオームの法則に従うべきです
A: 通常は配達します.sインゲルチャネルポテンシオスタット ガルバノスタット7 営業日以内にsインゲルチャネルポテンシオスタット ガルバノスタットDHL,FedExなどで送られます
販売後サービス (すべてのサービス,修理は完全に無料)
保証期間: 5年
インストールガイド,マニュアル,ソフトウェアのインストールビデオとトレーニングビデオを提供します.
無料の修理サービス
ソフトウェアのアップグレードと技術的なサービス
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