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Wuhan Corrtest Instruments Corp., Ltd.
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ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M

製品詳細

起源の場所: ウーハン、中国

ブランド名: Corrtest

証明: CE, ISO9001

モデル番号: CS350M

支払いと送料の条件

最小注文数量: 1セット

価格: 交渉可能

パッケージの詳細: 標準ボックス

受渡し時間: 5〜10 営業日

支払条件: T/T、D/P

供給の能力: 1セット/年

お問い合わせ
ハイライト:

容量測定器 ガルバノスタット CS350M

,

ガルバノスタティック電荷放電ポテンチオスタット

,

ISO9001 パットニオスタットとガルバノスタット

Name:
Single Channel Potentiostat
Potential control range:
±10V
Current control range:
±2A
Potential control accuracy:
0.1%×full range±1mV
Current control accuracy:
0.1%×full range
Potential resolution:
10μV (>100Hz),3μV (<10Hz)
Current sensitivity:
1pA
Rise time:
<1μs (<10mA), <10μs (<2A)
Reference electrode input impedance:
1012Ω||20pF
Name:
Single Channel Potentiostat
Potential control range:
±10V
Current control range:
±2A
Potential control accuracy:
0.1%×full range±1mV
Current control accuracy:
0.1%×full range
Potential resolution:
10μV (>100Hz),3μV (<10Hz)
Current sensitivity:
1pA
Rise time:
<1μs (<10mA), <10μs (<2A)
Reference electrode input impedance:
1012Ω||20pF
ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M

わかったイヴァノスタティック充電放電ポテンチオスタット CS350MDDS任意の関数発電機,高性能高精密ポテンチオスタット,ガルバノスタット,EIS/FRAモジュール,二チャンネル相関分析器から構成される.双チャンネル高速16ビット/高精度24ビットAD変換器と拡張インターフェース最大電流は±2A,潜在電波は±10V. EIS周波数帯は10uHz~1MHz.イヴァノスタティック電荷放出(GCD),サイクリック・ヴォルタメトリー (CV),EIS,潜在静止間隔定位技術 (PITT) とガルバノスタティック間隔定位技術 (GITT)さらに,電池の電源と電池の領域で理想的な電気化学ポテンチスタットになります.イヴァノスタティック充電放電ポテンチオスタット CS350Mまた,腐食,電触媒,バイオセンサー,電解,電解などの他の電気化学分野にも使用できます.増電器 CS2020B/CS2040B で電流を 20A/40A まで増やせる.

ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M 0

ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M 1

わかったイヴァノスタティック電荷放出原則

常流充電/放電 (GCD) 試験 (以下"常流充電/放電"とも呼ばれる) は,エネルギー貯蔵システムや材料の評価にしばしば用いられる.電気化学コンデンサターに含まれるもののようにガルバノスタティック電荷放電 (GCD) は,一定の電荷と電荷を付加し,電荷と電荷を付加し,電荷と電荷を付加し,電荷と電荷を付加し,電荷と電荷を付加し,電荷と電荷を放出する.このプロセスはしばしば複数のサイクルで繰り返されます容量応答の質を評価するために,電磁静止電荷放出 (GCD) プロファイルが使用されます.逆戻りしないファラダイ反応の可能性を特定し,いくつかの重要なEC値を導き出します容量,容量,エネルギー,電力など

 

ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M 2

コートテストCSスタジオの透明なインターフェースは,ガルバノスタティック充電放出 (GCD)

 

A についてガルバノスタティック電荷放電ポテンチオスタット CS350Mのデメリット

リアルタイムデータ保存

実験データはリアルタイムに保存できます 試験が停電した場合でも データは自動的に保存されます

電気化学インピーダンスのスペクトロスコピーEISについて)

● 恒常電流キャリアとDCバイアス技術により,電荷と放電状態下で電池インピーダンスの測定のために,ガルバノスタティック充電放電ポテンシオスタットCS350Mを使用できます.超低抵抗システム (例えば18650電池) に適していますソフトパックバッテリー,バッテリーコア...)

●ガルバノスタティック電荷放電ポテンチオスタットCS350Mは,相関積分アルゴリズムと二チャネルオーバーサンプリング技術を使用し,強力な反干渉能力を備えています.器具の内部抵抗は最大10です13高阻力システムの EIS 測定に適しています

多電極システム

●電池内抵抗または4電極薄膜阻力測定をテストするために使用することができます.

ソフトウェア開発キット (SDK)

C#,VCなどのプログラムでデータコールを実現できます. ソフトウェア開発は,C#,VCなどのプログラムで,

ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M 3高電流,高適合性オプション

●CS2020B/CS2040Bブースターにより,電磁静脈放電電容器CS350Mの電流を20A/40Aに増加させることができ,燃料電池,電源電池,電気塗装など

 

汎用的なデータ分析

CS Studioは,実験制御とデータ分析のためのGalvanostatic電荷放電電電位体CS350Mのソフトウェアです. それはできる: 多パラメータタフェル曲線フィッティング,導出,ヴォルタメトリック曲線の統合とピーク高度分析EIS 相当回路のカスタマイズとインピーダンスのスペクトルフィッティングなど

● GCD 固有容量,効率

● EIS の 同等の 回路 の 設置

● 履歴書 の 分析

● 偽容量 計算

● モット・ショットキー グラフ 分析

● 多パラメータ 偏振曲線

● 電気化学 騒音 分析

 

組み合わせ試験

柔軟性や効率性を向上させるため,様々な実験の組み合わせテストをサポートします.

各実験のパラメータを事前に設定でき 実験室に留まらずに 各種実験が自動的に行われます

 

ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M 4

組み合わせ試験:偽コンデンサータ試験

 

電気電荷放電ポテンチオスタット CS350Mのソフトウェア特性

 

循環電圧測定:CS スタジオ ソフトウェアは,ユーザに多角的なスムージングを可能にします.差分/統合CV曲線のピークの高さ,ピーク面積,ピークポテンシャルの計算を完了できるキットです.

ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M 5

バッテリー試験と分析:

充電・放電効率,容量,特異容量,充電・放電エネルギー

ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M 6

EIS 分析:ボード,ナイクスト,モット・ショットキー

EISデータ分析中に,カスタム同等回路を描くための組み込みフィッティング機能があります.

ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M 7

 

 

仕様について熱静電電荷放電ポテンチオスタット CS350M
サポート・2,3または4電極システム 電源と電流の範囲: 自動
制御範囲: ±10V 電流制御範囲: ±2A
制御精度: 0.1%×全範囲±1mV 電流制御精度:0.1%×全範囲
容量解像度: 10μV (>100Hz),3μV (<10Hz) 電流感度:1pA
上昇時間: <1μs (<10mA), <10μs (<2A) 基準電極の入力インペダンス:101220pFを押さえて
電流範囲: 2nA~2A, 10 つの範囲 合致電圧: ±21V
最大出力電流: 2A CVとLSVスキャン速さ:0.001mV~10,000V/s
CAとCCパルス幅: 0.0001~65,000s スキャン中の電流増加: 1mA@1A/ms
スキャン中の潜在的な増幅:0.076mV@1V/ms SWV周波数: 0.001~100 kHz
DPVとNPVパルス幅: 0.0001~1000s ADデータ取得:16bit@1MHz,20bit@1kHz
DA 解像度:16ビット 設定時間:1μs 最低電圧増強:0.075mV
IMP周波数: 10μHz~1MHz 低通行フィルター: 8 十年
オペレーティング システム: Windows 10/11 インターフェース:USB20
体重/寸法: 6.5kg, 36.5 x 30.5 x 16cm
EIS (電気化学阻害スペクトロスコピー)
シグナル発電機
周波数範囲:10μHz~1MHz AC振幅:1mV~2500mV
DCバイアス: -10~+10V 出力インペダンス: 50Ω
波形:シナス波,三角波,四角波 波の歪み: <1%
スキャニングモード:ロガリズム/線形,増減
シグナル分析機
インテグラル時間:最低:10ms またはサイクル最長時間 最大:106サイクルは105s
測定遅延: 0~105s
DCオフセット補償
潜在的自動補償範囲: -10V~+10V 電流補償範囲: -1A~+1A
帯域幅: 8 10 年の周波数範囲,自動と手動設定

 

ガルバノスタティック電荷放電ポテンチオスタット CS350Mの技術

 

バッテリー試験

  • バッテリーの充電と放電
  • ガルバノスタティック電荷放出 (GCD)
  • 潜在静止充電と放電 (PCD)
  • 潜在静脈間隔定位技術 (PITT)
  • ガルバノスタティック・インターミッテント・タイトレーション技術 (GITT)

電気化学阻害スペクトルsコピー (EISについて)

  • 潜在静止性EIS (ニクスト,ボード)
  • 熱静止性 EIS
  • 潜在静止EIS (任意の周波数)
  • 電磁静止EIS (任意の周波数)
  • モット・ショットキー
  • パトント静止EIS対時間 (単周波数)
  • 熱静電EIS対時間 (単周波数)

安定した偏振

  • オープン・サーキット・ポテンシャル (OCP)
  • パトントステティック (I-T曲線)
  • ガルバノスタティック
  • 潜在動力学 (タベルグラフ)
  • ガルバノダイナミック (DGP)

臨時極化

  • 複数の 可能性 の ステップ
  • 多電流ステップ
  • 可能性のある階段ステップ (VSTEP)
  • 熱電梯ステップ (ISTEP)

クロノ 方法

  • クロノポテンチオメトリ (CP)
  • クロノアンペラメトリ (CA)
  • クロノカウルメトリ (CC)

ウォルタメトリー

  • 線形スウィープヴォルタメトリー (LSV)
  • 循環電圧測定 (CV)
  • 階段電圧測定 (SCV) #
  • 平方波電圧測定 (SWV) #
  • 微分パルスボルトメトリ (DPV) #
  • 正常パルス電圧測定 (NPV) #
  • 標準パルスボルトメトリ (DNPV) #
  • AC電圧測定 (ACV)
  • 2ほらハーモニックAC電圧測定 (SHACV)
  • フーリア変換交流電圧測定 (FTACV)

腐食測定

  • 循環偏振曲線 (CPP)
  • 線形偏振曲線 (LPR)
  • 電気化学的ポテンチオキネティック再活性化 (EPR)
  • 電気化学騒音 (EN)
  • ゼロ抵抗アンメーター (ZRA)

 

標準供給ガスイヴァノスタティック充電放電ポテンチオスタット CS350M

CS350M パンチオスタット ガルバノサト *1

CSスタジオソフトウェア*1

電源ケーブル x1

USBケーブル x1

セル/電極ケーブル x2

偽のセル (x1)

手帳