ガルバノスタティック電荷放出ポテンチオスタットとガルバノスタット CS350M

は、腐食、電気触媒、バイオセンサー、電気めっき、電気分析などの他の様々な電気化学分野でも使用できます。電流ブースターCS2020B/CS2040Bを使用すると、電流を最大20A/40Aまでブーストできます。腐食測定は、DDS任意関数発生器、高出力・高精度ポテンショスタット/ガルバノスタット、EIS/FRAモジュール、デュアルチャンネル相関アナライザー、デュアルチャンネル高速16ビット/高精度24ビットADコンバーター、拡張インターフェースで構成されています。最大電流は±2A、電位範囲は±10Vです。EIS周波数範囲は10μHz～1MHzです。「ガガ（GCD）、サイクリックボルタンメトリー（CV）、EIS、ポテンショスタティック間欠滴定法（PITT）、ガルバノスタティック間欠滴定法（GITT）を備えているため、エネルギーおよびバッテリー分野における理想的な電気化学ポテンショスタットです。さらに、腐食測定ルバノスタティック充放電ポテンショスタット CS350M

は、腐食、電気触媒、バイオセンサー、電気めっき、電気分析などの他の様々な電気化学分野でも使用できます。電流ブースターCS2020B/CS2040Bを使用すると、電流を最大20A/40Aまでブーストできます。ガルバノスタティック充放電

の原理

ガルバノスタティック充放電（GCD）テスト（「定電流充放電」とも呼ばれる）は、電気化学キャパシタなどに使用されるエネルギー貯蔵システムや材料の評価によく用いられます。ガルバノスタティック充放電（GCD）は、設定された電位制限（最も一般的）または時間制限内で、材料を充放電するために一定の正負の電流を印加することを含みます。このプロセスは、多くの場合、複数のサイクルで繰り返されます。ガルバノスタティック充放電（GCD）プロファイルは、容量性応答の品質を評価し、不可逆的なファラデー反応の可能性を特定し、静電容量、容量、エネルギー、電力などのいくつかの主要なEC性能指標を導き出すために使用されます。

Corrtest CS Studioのクリアなインターフェース（ガルバノスタティック充放電（GCD）用）ガ

ルバノスタティック充放電ポテンショスタット CS350M

の利点

リアルタイムデータ保存バッテリーテストバッテリー充放電

EIS

）^{●定電流キャリアとDCバイアス技術により、ガルバノスタティック充放電ポテンショスタット CS350Mは、充電および放電状態でのバッテリーインピーダンス測定に使用でき、超低抵抗システム（18650バッテリー、ソフトパックバッテリー、バッテリーコアなど）に適しています。}●ガルバノスタティック充放電ポテンショスタット CS350Mは、相関積分アルゴリズムとデュアルチャンネルオーバーサンプリング技術を使用しており、強力な耐干渉能力を備えています。機器の内部抵抗は最大10

13

Ωです。高インピーダンスシステムのEIS測定に適しています。

マルチ電極システム

●ガルバノスタティック充放電ポテンショスタット CS350Mは、2、3、4電極システムをサポートしており、バッテリー内部抵抗または4電極薄膜インピーダンス測定に使用できます。

ソフトウェア開発キット（SDK）

二次開発インターフェース、API汎用インターフェース、開発例を提供でき、Labview、C、C++、C#、VCなどのプログラムからのデータ呼び出しを実現できます。

高電流、高コンプライアンスオプション

●CS2020B/CS2040Bブースターを使用すると、ガルバノスタティック充放電ポテンショスタット CS350Mの電流を20A/40Aにブーストでき、燃料電池、パワーバッテリー、電気めっきなどの要件を満たします。

多機能データ解析

CS Studioは、ガルバノスタティック充放電ポテンショスタット CS350Mの実験制御およびデータ解析用のソフトウェアです。多パラメータTafel曲線フィッティング、ボルタンメトリー曲線の導出、積分、ピーク高さ解析、EIS等価回路カスタマイズおよびインピーダンススペクトルフィッティングなどを行うことができます。

●GCD比静電容量、効率

●EIS等価回路フィッティング

●CV解析

●疑似容量計算

●Mott-Schottkyプロット解析

●多パラメータ分極曲線

●電気化学ノイズ解析

組み合わせテスト

CS Studioソフトウェアは、様々な実験の組み合わせテストをサポートし、柔軟で

無人テスト

を実現します。各実験のパラメータを事前に設定でき、ラボに滞在しなくても様々な実験が自動的に実行されます。組み合わせテスト：疑似コンデンサテスト

ガ

ルバノスタティック充放電ポテンショスタット CS350M

のソフトウェア機能サイクリックボルタンメトリー：

CS Studioソフトウェアは、ユーザーに多機能なスムージング/微分/積分キットを提供し、CV曲線のピーク高さ、ピーク面積、ピーク電位の計算を完了できます。CV技術では、データ解析中に、特定のサイクルを選択して表示する機能があります。

測定遅延：0～10

5

• s
• DCオフセット補正
• 電位自動補正範囲：-10V～+10V
• 電流補正範囲：-1A～+1A
• 帯域幅：8桁の周波数範囲、自動および手動設定

ガルバノスタティック充放電ポテンショスタット CS350Mの技術バッテリーテストバッテリー充放電

• ガルバノスタティック充放電（GCD）
• ポテンショスタティック充放電（PCD）
• ポテンショスタティック間欠滴定法（PITT）
• ガルバノスタティック間欠滴定法（GITT）
• 電気化学インピーダンス分光
• （
• EIS

）

• ポテンショスタティックEIS（Nyquist、Bode）
• ガルバノスタティックEIS
• ポテンショスタティックEIS（オプション周波数）
• ガルバノスタティックEIS（オプション周波数）
• Mott-Schottky

ポテンショスタティックEIS vs. 時間（単一周波数）

• ガルバノスタティックEIS vs. 時間（単一周波数）
• 安定分極
• 開放回路電位（OCP）
• ポテンショスタティック（I-T曲線）

ガルバノスタティック

• ポテンショダイナミック（Tafelプロット）
• ガルバノダイナミック（DGP）
• 過渡分極

複数電位ステップ

• 複数電流ステップ
• 電位ステップ（VSTEP）
• ガルバニックステップ（ISTEP）
• クロノ法
• クロノポテンショメトリー（CP）
• クロノアンペロメトリー（CA）
• クロノクーロメトリー（CC）
• ボルタンメトリー
• 線形掃引ボルタンメトリー（LSV）^{サイクリックボルタンメトリー（CV）}ステップボルタンメトリー（SCV）#
• 方形波ボルタンメトリー（SWV）#

差動パルスボルタンメトリー（DPV）#

• ノーマルパルスボルタンメトリー（NPV）#
• 差動ノーマルパルスボルタンメトリー（DNPV）#
• ACボルタンメトリー（ACV）
• 2
• 次

高調波ACボルタンメトリー（SHACV）フーリエ変換ACボルタンメトリー（FTACV）腐食測定

サイクリック分極曲線（CPP）

線形分極曲線（LPR）

電気化学ポテンショキネティック再活性化（EPR）

電気化学ノイズ（EN）

ゼロ抵抗アンメトリー（ZRA）

標準供給品

（ガ